Транзисторы - виды маркировки.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964 года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами - МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения - одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 - германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 - кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 - германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 - германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 - кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 - германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 - кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии. Например: МП42 - транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки - 42 П401 - транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки - 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года. Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных полупроводниковых приборов, в частности - полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 - германий.
Буква К или цифра 2 - кремний.
Буква А или цифра 3 - арсенид галлия.
Второй элемент - буква Т, означает биполярный транзистор, буква П - транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 - транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 - транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения - определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор, маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения, первые два символа обозначающие материал и подкласс транзистора остались преждними. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей - третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 - транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 - транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 - транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов. Для обозначения порядкового номера разработки используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака). Для дополнительной классификации используют буквы русского алфавита, от А до Я. Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента - обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 - с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 - с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения, маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе. В общем, - без хорошего каталога не разберешься.

Цветовая маркировка отечественных транзисторов.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

Маркировка полупроводниковых смд элементов, в т.ч. транзисторов.